|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Разработка многотигельной установки для выращивания монокристаллов GaAs и Ge диаметром 100 и 150 мм методом VGFНИР
Development of a multi-crucible installation for growing GaAs and Ge single crystals with a diameter of 100 and 150 mm using the VGF method
- Руководитель НИР: Гришечкин М.Б.
- Участники НИР: Аветисов И.Х., Баранова А.С., Барканов А.Д., Зыкова М.П., Можевитина Е.Н., Панфилова М.Н., Рунина К.И., Соломатина В.А.
- Сторонняя организация: ООО "АРМОЛЕД"
- Срок исполнения: 31 августа 2022 г. - 31 октября 2023 г.
- Номер договора (контракта, соглашения): Д0501-1016
- Тип: Разработка
- Приоритетное направление научных исследований: другое
-
Рубрики ГРНТИ:
- 31.15.17 Кристаллохимия и кристаллография
- 31.15.19 Химия твердого тела
- 61.69.35 Особо чистые вещества
- Добавил в систему: Барканов Артем Денисович
Источник финансирования НИР
| госбюджет, раздел 0110 (для тем по госзаданию) |
Этапы НИР
| # | Сроки | Название |
| 1 | 31 августа 2022 г.-31 октября 2023 г. | Разработка многотигельной установки для выращивания монокристаллов GaAs и Ge диаметром 100 и 150 мм методом VGF |
| Результаты этапа: | ||
Прикрепленные к НИР результаты
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".