ИСТИНА

Разработка процессов атомнослоевого травления материалов SiO2, Si3N4, GaN, которые должны обеспечить высокую селективность травления, высокую точность стравливаемой толщины, заметное снижение апертурных эффектов при травлении и высокую однородность травления

Измерение скоростей распыления исследуемых материалов. Измерение параметров ALE оксида кремния в зависимости от энергии ионов, состава используемых газов, скорости прокачки газа, температурного режима стенок камеры и подложки, наличия дополнительных циклов и импульсной подачи реагентов. Измерение параметров ALE нитридов материалов группы А3В5 с учетом использования смесей газов, как на основе хлор- , так и фторсодержащих прекурсоров

Для реализации технологии ALE требуется тонкая настройка процесса - настройка подаваемой мощности, длительность подачи реагентов, скорости прокачки и других параметров. Таким образом, задача становится многопараметрической, так как для ее решения требуется провести комплексное исследование фундаментальных свойств плазмы с кинетикой процессов в модифицированном слое и анализом скорости травления непосредственно в каждом цикле. Для успешного решения данной задачи необходимо проведение фундаментальных и прикладных исследований, которые объединяют три главных направления:      1. диагностика плазмы и поверхности,      2. детальное моделирование процессов в плазме и      3. атомистическое моделирование поверхности.

Процесс атомно слоевого травления должен обеспечивать вариацию толщины стравленного слоя за цикл в пределах 0.3-1.5 нм с точностью и воспроизводимостью толщины и скорости травления 10-15%, как в рамках одного циклического процесса атомно слоевого травления, так и от пластины к пластине. Равномерность травления по пластине 200 мм – 5-10 % в зависимости от материала.