ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Целью данного проекта является получение тонкопленочных структур антиферромагнетик (АФ)/ферромагнетик (ФМ), ФМ/АФ и ФМ/АМ/ФМ методом магнетронного напыления и исследование магнитных свойств структур на вибрационном магнитометре для установления влияния порядка осаждения слоев и их числа и толщины антиферромагнитного слоя на эффект обменного смещения изготовленных тонкопленочных структур. Изучение влияния указанных параметров – толщина антиферромагнитного слоя, порядок осаждения слоев и увеличение их числа – на магнитные свойства и эффект обменного смещения тонкопленочных структур – актуальная современная задача как для фундаментальной , так и для приложений (магнитная сенсорика, устройства магнитной памяти. Однако, в литературе однозначного описания и объяснения влияния толщины АФ слоя на магнитные свойства и эффект обменного смещения не найдено. Зависимости не монотонны и существенно зависят от используемых в качестве ФМ и АФ слоев материалов. Изучение влияния порядка осаждения слоев и их числа на эффект обменного смещения – задача, сформулированная сравнительно недавно, но на решение которой направили силы сильнейшие лаборатории мира. На структурах, где в качестве АФ слоя используется FeMn, ученые добились ряда успехов. Использование в качестве АФ слоя IrMn не было изучено, однако IrMn имеет свои преимущества: высокая температура Нееля, высокая температура блокировки обменного смещения, высокие температурная стабильность и коррозионная стойкость.
Изготовлены тонкопленочные структуры IrMn/FeNi, FeNi/IrMn и /IrMn/FeNi методом магнетронного напыления. В каждой серии изготовлены структуры с разной толщиной АФ слоя – от 2 нм до 20. Исследованы магнитные свойства изготовленных структур методом вибрационной магнитометрии. Установлено влияние порядка осаждения слоев на эффект обменного смещения в структурах IrMn/FeNi и FeNi/IrMn. Установлено влияние числа слоев на эффект обменного смещения в структурах IrMn/FeNi, FeNi/IrMn и IrMn/FeNi/IrMn.
грант РФФИ |
# | Сроки | Название |
1 | 31 октября 2014 г.-31 декабря 2014 г. | Усиление эффекта обменного смещения путем увеличения числа слоев в многослойных тонкопленочных структурах. |
Результаты этапа: -Изготовлены тонкопленочные структуры Ni75Fe25/Ir30Mn70, Ir30Mn70/Ni75Fe25, Ni75Fe25/Ir30Mn70/Ni75Fe25 с толщинами АФ слоя 2-20 нм; - Исследовано влияние толщины АФ слоя на эффект обменного смещения в полученных образцах; - Установлено влияние порядка осаждения слоев и их числа на эффект обменного смещения в полученных структурах; - Исследован механизм усиления эффекта обменного смещения в структурах Ni75Fe25/Ir30Mn70, Ir30Mn70/Ni75Fe25, Ni75Fe25/Ir30Mn70/Ni75Fe25 с альтернативным порядком осаждения слоев и с увеличенным числом слоев (два интерфейса по сравнению с одним, которые присутствует в двухслойных структурах); - Подготовлена статья для рецензируемого журнала, входящего в базу данных Web of Science. |
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".