ИСТИНА

Целью данного проекта является получение тонкопленочных структур антиферромагнетик (АФ)/ферромагнетик (ФМ), ФМ/АФ и ФМ/АМ/ФМ методом магнетронного напыления и исследование магнитных свойств структур на вибрационном магнитометре для установления влияния порядка осаждения слоев и их числа и толщины антиферромагнитного слоя на эффект обменного смещения изготовленных тонкопленочных структур. Изучение влияния указанных параметров – толщина антиферромагнитного слоя, порядок осаждения слоев и увеличение их числа – на магнитные свойства и эффект обменного смещения тонкопленочных структур – актуальная современная задача как для фундаментальной , так и для приложений (магнитная сенсорика, устройства магнитной памяти. Однако, в литературе однозначного описания и объяснения влияния толщины АФ слоя на магнитные свойства и эффект обменного смещения не найдено. Зависимости не монотонны и существенно зависят от используемых в качестве ФМ и АФ слоев материалов. Изучение влияния порядка осаждения слоев и их числа на эффект обменного смещения – задача, сформулированная сравнительно недавно, но на решение которой направили силы сильнейшие лаборатории мира. На структурах, где в качестве АФ слоя используется FeMn, ученые добились ряда успехов. Использование в качестве АФ слоя IrMn не было изучено, однако IrMn имеет свои преимущества: высокая температура Нееля, высокая температура блокировки обменного смещения, высокие температурная стабильность и коррозионная стойкость.

Изготовлены тонкопленочные структуры IrMn/FeNi, FeNi/IrMn и /IrMn/FeNi методом магнетронного напыления. В каждой серии изготовлены структуры с разной толщиной АФ слоя – от 2 нм до 20. Исследованы магнитные свойства изготовленных структур методом вибрационной магнитометрии. Установлено влияние порядка осаждения слоев на эффект обменного смещения в структурах IrMn/FeNi и FeNi/IrMn. Установлено влияние числа слоев на эффект обменного смещения в структурах IrMn/FeNi, FeNi/IrMn и IrMn/FeNi/IrMn.