ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Основной задачей проекта является получение для разрабатываемых в НИИЯФ МГУ концентраторных солнечных элементов (СЭ) из кремния n-типа зависимостей падения напряжения за счёт резистивных потерь от тока протекающего через прибор. Так же в проекте предполагается произвести анализ полученных зависимостей с целью характеризации природы резистивных потерь в исследуемых фотопреобразователях. Величина падения напряжения солнечного элемента за счёт резистивных потерь может быть получена путём сравнения зависимости «напряжение холостого хода - ток короткого замыкания» с темновой вольт-амперной характеристикой (ВАХ). Разность значений напряжения (при одинаковых токах) у этих двух характеристик обуславливается влиянием на темновую ВАХ резистивных потерь, в то время как в случае зависимости «напряжение холостого хода - ток короткого замыкания» вклад таких потерь отсутствует. При реализации проекта будет разработана теоретическая модель, позволяющая анализировать уровень резистивных потерь от тока. Для этого предполагается произвести теоретическую оценку основных факторов влияющих на величину резистивных потерь в СЭ из кремния n-типа, преобразующих концентрированное солнечное излучение, и разработать эквивалентную схему для таких СЭ
В рамках проекта разработана методика оценки резистивных потерь в двухсторонних концентрационных солнечных элементах из кремния n-типа. Предлагаемая методика включает в себя экспериментальную оценку величины резистивных потерь и теоретическую модель для ее анализа. Оценка основывается на сопоставлении зависимости «напряжение холостого хода - ток короткого замыкания» (безрезистивная зависимость), полученной из измерений световых нагрузочных ВАХ СЭ, с темновой ВАХ исследуемого элемента.Теоретическая модель обеспечивает описание и расчёт параметров электрической эквивалентной схемы исследуемых приборов. Произведен комплекс исследований фотоэлектрических характеристик образцов солнечных элементов (СЭ) в условиях варьируемой освещенности (кратности концентрирования солнечного излучения) с получением наборов нагрузочных ВАХ. Измерены зависимости напряжения холостого хода от тока короткого замыкания и произведена оценка резистивных потерь. Проведена работа по теоретическому моделированию величины резистивных потерь для исследуемых СЭ. Ключевым моментом является разработка эквивалентной схемы однопереходных двухсторонних СЭ, предназначенных для преобразования концентрированного солнечного излучения.
грант РФФИ |
# | Сроки | Название |
1 | 1 июня 2013 г.-31 декабря 2013 г. | Разработка методики оценки резистивных потерь в двухсторонних концентраторных солнечных элементах из кремния n-типа. Научный проект Минтаирова Михаила Александровича из Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технический институт |
Результаты этапа: Произведен комплекс исследований фотоэлектрических характеристик образцов солнечных элементов (СЭ) в условиях варьируемой освещенности (кратности концентрирования солнечного излучения) с получением наборов нагрузочных ВАХ. Измерены зависимости напряжения холостого хода от тока короткого замыкания и произведена оценка резистивных потерь. Проведена работа по теоретическому моделированию величины резистивных потерь для исследуемых СЭ. Ключевым моментом является разработка эквивалентной схемы однопереходных двухсторонних СЭ, предназначенных для преобразования концентрированного солнечного излучения. | ||
2 | 1 января 2014 г.-31 декабря 2014 г. | Разработка методики оценки резистивных потерь в двухсторонних концентраторных солнечных элементах из кремния n-типа. Научный проект Минтаирова Михаила Александровича из Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технический институт |
Результаты этапа: |
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".