ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Целью проекта является решение фундаментальной проблемы влияния возбуждения поверхностных магнитоплазмонов на резонансное усиление магнитооптического эффекта Керра в образцах двумерных магнитоплазмонных кристаллов, изготовленных на основе периодически наноструктурированной поверхности никеля и железа в частотной области запрещенной магнитоплазмонной зоны. Актуальность рассматриваемой проблемы обеспечивается ее нахождением на стыке двух активно развивающихся областей исследования. С одной стороны, это оптические эффекты, связанные с запрещенной зоной с другой — влияние намагниченности среды на распространение поверхностных плазмон-поляритонов. Таким образом, возможно объединение вышеуказанных областей исследований. Влияние эффекта запрещенной магнитоплазмонной зоны может привести к усилению эффекта Керра и к изменению спектральной формы его резонанса, вызванной низкой групповой скоростью, различной локализацией электромагнитного поля для спектральных областей, находящихся вблизи разных краев запещенной зоны, и перекачкой энергии в поверхностные магнитоплазмонные волны.
проект не закончен
грант РФФИ |
# | Сроки | Название |
1 | 1 января 2014 г.-31 декабря 2014 г. | Резонансное усиление магнитооптического эффекта Керра в двумерных магнитоплазмонных кристаллах в спектрально-угловой области запрещенной плазмонной зоны |
Результаты этапа: В ходе выполнения работы была проведена отработка изготовления экспериментальных плазмонных решеток методом ультрафиолетовой интерференционной лазерной литографии. Была проведена отработка изготовления планарных «одномерных» решеток — решеток из фоторезиста с периодами 550 и 1000 нм на кремниевых подложках периодичностью только в одном направлении в плоскости подложки) и планарных «двумерных» решеток — периодических структур с квадратным и гексагональным упорядочением. «Двумерные» структуры изготавливались методом последовательного экспонирования. Для изготовления структур применялась разработанная, собранная и отъюстированная установка для лазерной литографии с интерферометром Ллойда. Использовался ультрафиолетовый полупроводниковый лазер с длиной волны 408 нм. В ходе разработки, сборки и подготовки установки учитывалась необходимость пространственной фильтрации пучка УФ-излучения, длина когерентности излучения, падающего на интерферометр, мощность излучения, стабильность мощности, энергетическая доза облучения для фоторезиста в областях максимумов интерференционной картины. Полученные образцы трех типов исследовались методами оптической микроскопии, дифракционным методом для контроля периодов и направлений периодичности получившихся структур, а также атомно-силовой микроскопии для контроля получившихся глубин модуляций. Контроль над глубиной модуляции осуществлялся регулированием дозы полученного фоторезистом излучения. Метод атомно-силовой микроскопии позволил определить глубины модуляции полученных решеток. Разброс усредненных глубин составил от 30 до 110 нм в пилотных партиях образцов. Характеризация данных пилотных серий образцов позволили установить связь между временем экспонирования и глубиной модуляции полученной структуры. Серия решеток из фоторезиста была запылена золотом для проверки плазмонных свойств различных полученных структур. Были проведены экспериментальные измерения и сравнение спектров отражения структур, демонстрирующие провалы различной глубины, вызванные возбуждением поверхностных плазмон-поляритонов при разной глубине модуляции структуры, глубже модуляция — добротнее плазмонный провал в спектрах отражения. | ||
2 | 1 января 2015 г.-31 декабря 2015 г. | Резонансное усиление магнитооптического эффекта Керра в двумерных магнитоплазмонных кристаллах в спектрально-угловой области запрещенной плазмонной зоны |
Результаты этапа: |
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".