![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Выполнены работы по разработке и развитию расчетно-экспериментальных методов прогнозирования воздействия протонов и тяжелых заряженных частиц высоких энергий космического пространства на космические аппараты (КА) в целом и кристаллы кремния элементов бортовой электроники с учетом процессов ядерного размножения и с использованием математического и экспериментального моделирования процессов деградации электронной компонентной базы (ЭКБ). В части дозового повреждения от радиационной деградации и радиационных одиночных эффектов (РОЭ) в элементах ЭКБ при воздействии протонов и ионов КП решены проблемы , связанные с формированием вычислительного ядра и освоением методик компьютерного транспорта заряженных частиц через КА и его содержимое, с расчетом энергетических спектров и потоков частиц внутри КА и в структурах наиболее чувствительных к радиации элементов ЭКБ бортовой радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) с учетом вклада тяжелых фрагментов ядерных реакций под действием протонов высокой и умеренно высокой энергии. Обращено внимание на учет многократного рассеяния частиц в твердом теле, торможения и страгглинга энергетических потерь на основе алгоритма Мольера для протонов и с учетом достижений Зиглера и Зиглера-Андерсена для ионов, включая ТЗЧ. Представлен обзор распределения частиц в околоземном космическом пространстве с особым вниманием к галактическим космическим лучам (ГКЛ), как главному источнику РОЭ. В части прогнозирования РОЭ при проведении компьютерного моделирования в кристаллах большой интегральной схемы (БИС) анализируются особенности реальных образцов современных радиационно-стойких ИС на основе технологии «кремний-на-диэлектрике», как наиболее перспективной для решения проблем создания радиационно-стойкой электронной компонентной базы. Выяснена с использованием компьютерного моделирования важная роль тяжелых примесей в кремнии и элементов металлизации и легирования поликремниевого затвора для прогнозирования вероятности обратимых сбоев КМОП элементов ЭКБ на борту КА под действием протонов высокой энергии, несущих более 90% энергии космических лучей. Определены размеры области прибора, содержащей атомы-источники ядерных реакций с генерацией фрагментов, достигающих пределы рабочей области с энергией, достаточной для образования критического паразитного заряда как условия осуществления обратимого сбоя. Проведен анализ концепции линейной передачи энергии (ЛПЭ) в связи с ее монопольным использованием для прогнозирования вероятности РОЭ и при испытаниях электронной компонентной базы бортовой аппаратуры на ускорителях ТЗЧ и показана ее ограниче¬нность. Как необходимое дополнение, существенно расширяющее концепцию ЛПЭ, рассмотрены многочисленные неучтенные эффекты ядерных столкновений и реакций в широком интервале энергий, вплоть до 1012 МэВ, а также влияние кристалличности полупроводника элементов ЭКБ. Разработаны методики радиационно-термического тестирования токов утечки и сдвига порогового напряжения транзисторов в комплиментарной структуре «Металл-Окисел-Полупроводник» КМОП БИС, применяемых для работы на орбите. Разработана теоретическая основа и разработаны и изготовлены технические средства для методики радиационно-термического тестирования плотности вводимых дефектов в КМОП ИС. Получили дальнейшее развитие расчетно-экспериментальные методы выявления критических элементов БИС ЭКБ, неустойчивых к одиночным сбоям, а также логических и силовых элементов ЭКБ, неустойчивых к восстанавливаемым сбоям и дозовой деградации.
Проведены разработка и изготовление технических средств для выполнения радиационно-термического тестирования сдвига порогового напряжения МОП транзисторов КМОП БИС. Конструкционные решения, реализованные в нем, носят во многом оригинальный характер. Так, применен элемент Пельтье для контроля температуры. Разработана специальная оснастка для тестирования КМОП БИС и определения плотности дефектов в результате произведенного радиационно-термического воздействия, а также присоединения и замены мишени. Разработано специальное программное обеспечение управления экспериментом, в частности, обработки результатов. Источниками информации для комплекса программных средств на внешнем устройстве служит информация, поступающая от микроконтроллера.
Хоздоговор, Хоздоговор |
# | Сроки | Название |
1 | 9 июля 2012 г.-31 декабря 2012 г. | Развитие расчетно-экспериментальных методов выявления логических элементов ЭКБ, неустойчивых к восстанавливаемым сбоям и дозовой деградации. Разработка и изготовление технических средств для методики радиационно-термического тестирования сдвига порогового напряжения транзисторов в КМОП БИС на орбите |
Результаты этапа: Разработаны методы прогнозирования воздействия протонов и ТЗЧ на КА в целом и элементы ЭКБ бортовой РЭА. В части дозового повреждения решены проблемы, связанные с формированием вычислительного ядра и методик компьютерного анализа транспорта заряженных частиц через КА и его содержимое, расчета энергетических спектров и потоков частиц внутри КА и в структурах наиболее важных элементов электронной компонентной базы (ЭКБ) бортовой РЭА с учетом вклада тяжелых фрагментов ядерных реакций под действием протонов. | ||
2 | 1 января 2013 г.-31 декабря 2013 г. | Развитие расчетно-экспериментальных методов выявления логических элементов ЭКБ, неустойчивых к восстанавливаемым сбоям и дозовой деградации. Разработка и изготовление технических средств для методики радиационно-термического тестирования сдвига порогового напряжения транзисторов в КМОП БИС на орбите |
Результаты этапа: Рассмотрены примеры генерации при воздействии протонов высокой энергии и ТЗЧ КП (или при физическом моделировании при воздействии пучков моделирующих установок) паразитных неравновесных носителей заряда в элементах ЭКБ показали необходимость учета ядерных реакций и продуктов фрагментирования на ядрах кремния полупроводника и, еще в большей мере, на примесях тяжелых металлов, используемых для построения наиболее радиационно-стойких и объемных КМОП БИС в технологии «кремний–на –изоляторе», что увеличивает вероятность реализации РОЭ всех видов, но не изменяет природу повреждающего механизма и, следовательно, ответных защитных мероприятий для всех элементов БИС ЭКБ аппаратуры КА. | ||
3 | 1 января 2014 г.-31 декабря 2014 г. | Развитие расчетно-экспериментальных методов выявления логических элементов ЭКБ, неустойчивых к восстанавливаемым сбоям и дозовой деградации. Разработка и изготовление технических средств для методики радиационно-термического тестирования сдвига порогового напряжения транзисторов в КМОП БИС на орбите |
Результаты этапа: Развиты расчетно-экспериментальные методы выявления логических элементов ЭКБ, неустойчивых к восстанавливаемым сбоям и дозовой деградации. Результаты работы, представленные в отчете по НИР, включают следующие основные положения. Проанализированы расчетные методы прогнозирования вероятности радиационных сбоев в логических элементах БИС, основанные на концепции линейной потери энергии (ЛПЭ) частицы КЛ в чувствительном объеме логического элемента. | ||
4 | 1 января 2015 г.-31 декабря 2015 г. | Развитие расчетно-экспериментальных методов выявления логических элементов ЭКБ, неустойчивых к восстанавливаемым сбоям и дозовой деградации. Разработка и изготовление технических средств для методики радиационно-термического тестирования сдвига порогового напряжения транзисторов в КМОП БИС на орбите |
Результаты этапа: | ||
5 | 1 января 2015 г.-25 октября 2015 г. | Разработка проекта создания инструментальных и аппаратных средств для тестирования текущего состояния радиационного ресурса (РР) ЭКБ на орбите. |
Результаты этапа: |
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".