|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Разработка технологии нанесения бета-изотопного компонента на полупроводниковую структуру элементов питания нового поколенияНИР
- Руководитель НИР: Калмыков С.Н.
- Участники НИР: Ананьева И.А., ВЛАСОВА И.Э., Егорова Б.В., Кузьменкова Н.В., Петров В.Г., Романчук А.Ю., Сапожников Ю.А.
- Подразделение: Кафедра радиохимии
- Срок исполнения: 7 апреля 2015 г. - 31 июля 2015 г.
- Номер договора (контракта, соглашения): 754/15
- Номер ЦИТИС: 115042070007
- Тип: Прикладная
- Приоритетное направление научных исследований: Функциональные материалы, наноматериалы и технологии
- ПН России: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
- Направление технологического прорыва России: Энергоэффективность и энергосбережение
-
Рубрики ГРНТИ:
- 58.31.37 Применение изотопов и ионизирующих излучений в промышленности
-
Ключевые слова:
технология нанесения, бета-изотопный компонент, элементы питания нового поколения
-
Описание:
Целью настоящей НИОКР является проведение исследований, направленных на отработку технологии нанесения бета-изотопного компонента на полупроводниковую структуру элементов питания нового поколения на основе долгоживущих бета-изотопов и проведение радиологических исследований бета-источника.
-
Основные результаты:
Проведение исследований, направленных на отработку технологии нанесения бета-изотопного компонента на полупроводниковую структуру элементов питания нового поколения на основе долгоживущих бета-изотопов и проведение радиологических исследований бета-источника.
- Добавил в систему: Ананьева Ирина Алексеевна
Источник финансирования НИР
| Хоздоговор, Разработка технологии нанесения бета-изотопного компонента на полупроводниковую структуру элементов питания нового поколения |
Этапы НИР
| # | Сроки | Название |
| 1 | 7 апреля 2015 г.-30 июня 2015 г. | Разработка технологии нанесения бета-изотопного компонента на полупроводниковую структуру элементов питания нового поколения |
| Результаты этапа: Проведены исследования, направленные на отработку технологии нанесения бета-изотопного компонента на полупроводниковую структуру элементов питания нового поколения на основе долгоживущих бета-изотопов. Проведены радиологические исследования бета-источника. | ||
Прикрепленные к НИР результаты
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".