|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
The influence of synthesis parameters on graphene films growth by chemical vapor deposition methodтезисы доклада Тезисы
- Авторы: Cao H Le T.T., Le D.Q., Phan N.H., Bui H.T., Pham V.T., Nguyen T.T., Obraztsova E.D., Phan N.M., Nguyen V.C.
- Сборник: Proc. of 3rd International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology, Hanoi, 2016
- Тезисы
- Год издания: 2017
- Место издания: Hanoi University of Science and Technology Hanoi (Vietnam)
- Первая страница: 304
- Последняя страница: 307
- Аннотация: Графеновые пленки (2-3 слоя) успешно синтезированы методом химического газофазного осаждения (CVD) при атмосферном давлении. Метан был использован как источник углерода, а медные (Cu) или медно-серебряные (Cu/Ag) пластины - как каталитические подложки. Результат влияния газов (метан, водород), каталитических подложек (Cu, Cu/Ag) и импульсного CVD режима на рост графеновых пленок был детально исследован методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ), просвечивающей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света. Было установлено, что композитный состав подложки (Cu/Ag) и импульсный режим осаждения положительно влияют на качество осаждаемой графеновой пленки.
- Добавил в систему: Образцова Елена Дмитриевна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Nguen-paper.pdf | 2,2 МБ | 20 февраля 2018 [Obraztsova] |