|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Damage-free plasma etching of porous organo-silicate low-k using micro-capillary condensation above -50 °Cстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 февраля 2018 г.
- Авторы: Chanson R., Zhang L., Naumov S., Mankelevich Yuri, Tillocher T., Lefaucheux P., Dussart R., Gendt S.De, Marneffe J.F de
- Журнал: Scientific reports
- Том: 8
- Номер: 1
- Год издания: 2018
- Издательство: Nature Publishing Group
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 1886
- DOI: 10.1038/s41598-018-20099-5
- Аннотация: The micro-capillary condensation of a new high boiling point organic reagent (HBPO), is studied in a periodic mesoporous oxide (PMO) with ∼34 % porosity and k-value ∼2.3. At a partial pressure of 3 mT, the onset of micro-capillary condensation occurs around +20 °C and the low-k matrix is filled at −20 °C. The condensed phase shows high stability from −50 < T ≤−35 °C, and persists in the pores when the low-k is exposed to a SF6-based plasma discharge. The etching properties of a SF6-based 150W-biased plasma discharge, using as additive this new HBPO gas, shows that negligible damage can be achieved at −50 °C, with acceptable etch rates. The evolution of the damage depth as a function of time was studied without bias and indicates that Si-CH3 loss occurs principally through Si-C dissociation by VUV photons.
- Добавил в систему: Манкелевич Юрий Александрович