|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
FORMATION, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF CA SI FILMS AND SI/CA3SI4/SI (L I L ) DOUBLE HETEROSTRUCTURESстатья Глава в книге
- Авторы: Galkin N.G., Bezbabnyi D.A., Galkin K.N., Dotsenko I.M., Chernev I.M., Vakhrushev A.V.
- Сборник: Multifunctional materials and modeling
- Серия: Innovationsin Chemical Physics and Mesoscopy
- Том: 1
- Глава в коллективной монографии
- Год издания: 2015
- Место издания: Apple Academic Press Waretown Oakville
- Первая страница: 141
- Последняя страница: 150
- Аннотация: In this article the morphology, electronic structure, optical and electrical properties of the Ca3Si4 films with different thicknesses and Si/Ca3Si4/Si(111) double hetero structures grown on their base were studied depending on the thickness of deposited Ca and on method of silicon cap layer growth in DHS.
- Добавил в систему: Вахрушев Александр Васильевич