Conductivity of structures with silicon nanocrystals in oxide matrixстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 ноября 2017 г.

Работа с статьей


[1] Conductivity of structures with silicon nanocrystals in oxide matrix / P. A. Forsh, A. S. Gavrilyuk, E. A. Forsh et al. // Nanotechnologies in Russia. — 2011. — Vol. 6, no. 1-2. — P. 125–129. The current–voltage characteristics and temperature dependences of conductivity (in the temperature range from 210 to 330 K) of the structures containing silicon nanocrystals in the SiO2 matrix have been measured. Samples with various numbers of layers and nanocrystal sizes have been investigated. Based on the results, possible mechanisms of the charge carrier transfer in the studied structures at different temperatures have been analyzed. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть