|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Near field thermal memory based on radiative phase bistability of VO2статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 августа 2015 г.
- Авторы: Dyakov S.A., Dai J., Yan M., Qiu M.
- Журнал: Journal of Physics D
- Том: 48
- Номер: 30
- Год издания: 2015
- Первая страница: 305104
- DOI: 10.1088/0022-3727/48/30/305104
- Аннотация: We report the concept of a near-field memory device based on the radiative bistability effect in the system of two closely separated parallel plates of SiO2 and VO2 which exchange heat by thermal radiation in vacuum. We demonstrate that the VO2 plate, having metal-insulator transition at 340 K, has two thermodynamical steady-states. One can switch between the states using an external laser impulse. We show that due to near-field photon tunneling between the plates, the switching time is found to be only 5 ms which is several orders lower than in case of far field.
- Добавил в систему: Дьяков Сергей Александрович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | thermal_memory.pdf | 418,2 КБ | 6 июля 2015 [dyakovsergey] |