Аннотация:Выполнен синтез и структурный анализ пленочных фотонных кристаллов (ФК) на основе микросфер SiO2. Показано, что полученные материалы образованы гексагонально-упакованными слоями микросфер с низким содержанием дефектов. В диапазоне длин волн 400 - 800 нм измерены спектры пропускания полученных пленочных ФК от ростовых поверхностей (111). Наблюдаемые спектральные особенности интерпретированы как проявление фотонной стоп-зоны в направлении (111) ГЦК-решетки. Показано, что температурная обработка образцов ФК приводит к смещению фотонной стоп-зоны в коротковолновую область.