|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
О влиянии спектрального состава света на фотопроводимость слоистых пленок a-Si:Hстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
- Номер: 3
- Год издания: 2011
- Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 59
- Последняя страница: 62
- Аннотация: Установлено, что спектральный состав поглощенного света влияет на величину и температурную зависимость фотопроводимости слоистой пленки a-Si:H. Это влияние связано с разной генерацией носителей тока: межзонной или смешанной, включающей также и генерацию электронов с уровней хвоста валентной зоны. При смене типа генерации изменяется темп рекомбинации электронов вследствие изменения заполнения электронами рекомбинационных уровней - оборванных связей кремния и хвоста валентной зоны. Получено, что в исследованных слоисых пленках с малой врожденной концентрацией оборванных связей при смешанной генерации носитьелей рекомбинация электронов на уровнях хвоста валентной зоны может преобладать , вплоть до комнатных температур. Это может приводить к увеличению фотопроводимости в области комнатных температур
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна