|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Теоретическое исследование свойств электрической проводимости нанокристаллов тетраподов CdTe/CdSeтезисы доклада
- Автор: Захаров Р.В.
- Сборник: Материалы Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2016»
- Редакторы: Алешковский Иван Андреевич, Андриянов Андрей Владимирович, Антипов Евгений Александрович
- Тезисы
- Год издания: 2016
- Издательство: ООО "МАКС Пресс"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 144
- Последняя страница: 145
- Аннотация: Разработана квазиодномерная аналитическая модель электронного переноса в системе игла сканирующего туннельного микроскопа, нанокристалл тетрапода CdTe/CdSe, кристаллическая подложка. На основе разработанной модели исследовано влияние концентрации носителей заряда в тетраподе, его зонной структуры, геометрии и пространственной ориентации относительно подложки на вольт-амперные характеристики. Путем численного моделирования определены основные классы вольт-амперных характеристик, которые могут быть измерены в эксперименте. Определенные таким образом классы вольт-амперных характеристик непосредственно связаны с пространственной ориентацией тетраподов и их размерами. На основе сделанной классификации вольт-амперных характеристик из массива ранее измеренных характеристик выделены те, которые соответствуют транспорту электронов через тетрапод с иглы сканирующего туннельного микроскопа в подложку. Путем сопоставления численно рассчитанных характеристик к экспериментальным характеристикам определены параметры разработанной модели, которые дают наилучшее совпадение.
- Добавил в систему: Захаров Роман Викторович