Chemical synthesis of high quality epitaxial vanadium dioxide films with sharp electrical and optical switch properties

Makarevich, A.M.; Sadykov, I.I.; Sharovarov, D.I.; Amelichev, V.A.; Adamenkov, A.A.; Tsymbarenko, D.M.; Plokhih, A.V.; Esaulkov, M.N.; Solyankin, P.M.; Kaul, A.R.

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 сентября 2015 г.

Авторы: Makarevich A.M., Sadykov I.I., Sharovarov D.I., Amelichev V.A., Adamenkov A.A., Tsymbarenko D.M., Plokhih A.V., Esaulkov M.N., Solyankin P.M., Kaul A.R.
Журнал: Journal of Materials Chemistry
Том: 3
Год издания: 2015
Издательство: Royal Society of Chemistry
Местоположение издательства: United Kingdom
Первая страница: 9197
Последняя страница: 9205
DOI: 10.1039/c5tc01811k
Аннотация: The effective preparation method of epitaxial VO2 films on the r-Al2O3 substrates based on the MOCVD technique and post-deposition annealing is described. The composition, orientation and morphology of the films obtained were investigated by Raman spectroscopy, XRD, EBSD, XPS, SEM and AFM methods. The samples obtained demonstrate high crystal quality and excellent physical properties: sharp metal-insulator (4*10^4 resistance change) and intensive optical reflectivity (IR and THz regions) transitions. The model of VO2 film recrystallization based on the peritectic decomposition of intergrain vanadium oxide phases is proposed.
Добавил в систему: Макаревич Артем Михайлович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Chemical synthesis of high quality epitaxial vanadium dioxide films with sharp electrical and optical switch propertiesстатья

Прикрепленные файлы