Аннотация:Созданы p-n-переходы из антимонида галлия, легированные одной амфотерной примесью Sn, и исследована их электролюминесценция (ЭЛ). Проведено сравнение спектров ЭЛ и фотолюминесценции и оценен вклад p- и n-областей в ЭЛ p-n-переходов. ЭЛ возникает преимущественно в n-области диодов при рекомбинации на комплексах типа V_{Ga}Ga_{Sb}D, где D = Te_{Sb} или Sn_{Ga}. Интенсивность люминесценции n-GaSb:Sn и n-GaSb:Te оказывается одного порядка, что позволяет предложить использовать Sn в качестве легирующей примеси для создания светодиодов на основе GaSb.