|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Semiconductor Detectors of Backscattered Electrons in a Scanning Electron Microscope: Characteristics and Applicationsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 января 2016 г.
- Авторы: Zaitsev S.V., Kupreenko S.Yu, Rau E.I., Tatarintsev A.A.
- Журнал: Instruments and Experimental Techniques
- Том: 58
- Номер: 6
- Год издания: 2015
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 757
- Последняя страница: 764
- DOI: 10.1134/S0020441215060123
- Аннотация: A configuration of semiconductor detectors of backscattered electrons for a scanning electron microscope (SEM) is presented. The variable width of the detector rings and their oblique arrangement in the electron detection plane increases the detection efficiency by several times, thus making it possible to better separate the contrasts of surface-topography images and the studied-sample composition. By varying the accelerating voltage of the SEM and simultaneously choosing the appropriate detection angles of backscattered electrons, a sharper separation of layer-by-layer images of details of subsurface microstructures can be attained. It is shown that using a semiconductor detector and taking its response function (instrument function) into account, proximate assessments of the thicknesses of ultrathin nanometer-size film coatings on massive substrates can be performed.
- Добавил в систему: Купреенко Степан Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Статья | IET757.pdf | 800,0 КБ | 6 сентября 2016 [KupreenkoSU] |