Доменная структура материала полупроводниковых лазеров на основе GaN/SiCстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Доменная структура пленок гексагональных полупроводников GaN/SiC исследована методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей с целью определения возможных конфигураций доменов в пленке GaN/SiC, способных повлиять на свойства лазера на ее основе.
В результате обработки спектров малоуглового рассеяния рентгеновских лучей согласно моделям Порода и Брэгга получены данные о таких особенностях образцов, как геометрические свойства кластеров и расстояния в сверхструктурах (слоях, сверхрешетках) соответственно. Предложена модель регулярной сетки доменных стенок в пленке GaN/SiC. Подтверждена гипотеза о формировании нитевидных структур вблизи интерфейса пленки-подложки
ISSN: 0367-3294