Карбид-кремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизированного излучениястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Детекторы ядерных излучений на базе SiC занимали видное место уже в первых попытках 60-х годов по замене газа в ионизационных камерах более конденсированной полупроводниковой средой. Однако динамика совершенствования SiC тех лет заметно уступала прогрессу \glqq конкурентных\grqq материалов. В работе продолжено исследование триодных структур детекторов на базе \glqq чистых\grqq пленок SiC. Установлено, что для слабоионизирующего излучения (как и в случае сильноионизирующих alpha-частиц) происходит усиление сигнала не менее чем в десятки раз. Последнее позволяет использовать пленки SiC протяженностью порядка десяти мкм для регистрации проникающей радиации, например, рентгеновского излучения, поскольку эффективная толщина пленок оказывается в диапазоне сотен микрометров.