|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Исследование сверхструктур в полупроводниковых приборах методом МУРР при длинах волн около краев поглощения элементов образцастатья
- Авторы: Бойко М.Е., Шарков М.Д., Бойко А.М., Бобыль А.В., Конников С.Г.
- Журнал: XII Российская конференция по физике полупроводников («Полупроводники-2015»). Тезисы докладов
- Год издания: 2015
- Первая страница: 384
- DOI: ISBN 978-5-902622-31-4
- Аннотация: Объединение широкоугловых и малоугловых дифрактометрических исследований позволило провести качественный анализ и определение размеров кластеров, образовавшихся в результате спинодального распада твердого раствора полупроводникового соединения, используя сочетание абсорбционных и дифракционных методов исследования материалов, что выводит материаловедение на новый уровень количественного анализа: состав, кристаллическая структура и определение размеров и состава кластеров. Причем определяется и размер аморфных частиц, таким образом, решаются задачи количественного анализа, анализа сверхструктурных образований и проблема неопределенности Бабине.
- Добавил в систему: Бойко Михаил Евгеньевич