|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Detection of singlet oxygen in photoexcited porous silicon nanocrystals by photoluminescence measurementsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Gongalsky M.B., Konstantinova E.A., Osminkina L.A., Timoshenko V.Y.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 44
- Номер: 1
- Год издания: 2010
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 89
- Последняя страница: 92
- DOI: 10.1134/S106378261001015X
- Аннотация: Luminescence of gas-phase singlet oxygen optically sensitized by microporous silicon at room temperature is detected for the first time. At the same time, a photoinduced increase in the photoluminescence intensity of defects at the sample surface in oxygen atmosphere is observed. It is shown that mechanical grinding of porous silicon layers yields a decrease in the amount of photogenerated singlet oxygen. © Pleiades Publishing, Ltd., 2010.
- Добавил в систему: Гонгальский Максим Брониславович