Аннотация:Температурные особенности подавления низкочастотной диэлектрической аномалии длительным микроволновым облучением анализируются с привлечением температурной динамики доменной структуры ТГС и математического моделирования прохождения электромагнитной волны через волновод, нагруженный на сегнетоэлектрик ТГС. Методом импедансных характеристик рассчитываются коэффициенты отражения электромагнитных волн от образца и поглощения их в образце, представленном в виде слоистой структуры. Расчет дает хорошее совпадение с экспериментом.При этом видно, что только в областях активной перестройки доменов до и после области равновесного состояния доменной структуры имеет место микроволновое воздействие, которое связано с взаимодействием электромагнитной волны с протонами, совершающими направленное диффузионное движение вдоль доменных стенок.