Место издания:Издательство Политехнического университета Санкт-Петербург
Первая страница:108
Аннотация:Последнее десятилетие внимание исследователей в микроэлектронике, биологии, химии и медицине приковано к наноразмерным или наноструктурированным объектам. В ряде случаев изучение наноразмерных систем требует проведения неразрушающих измерений профилей потенциалов поверхностей и отдельных объектов с высокими пространственным разрешением и чувствительностью. Авторами разрабатывается оригинальная высокочувствительная система на основе полупроводникового нанопровода, располагающегося в предельной близости к краю кремниевой подложки.
Разработан метод, позволяющий на основе кремния на изоляторе (КНИ) изготавливать транзисторы с каналом-нанопроводом на краю кремниевой подложки.
Проведены измерения транспортных и шумовых характеристик изготовленных транзисторов. Показана высокая полевая чувствительность изготовленных структур. Разработанный метод совмещения литографируемой структуры с углом подложки позволяет формировать наностурктуры на расстояниях менее 50 нм от края подложки.
Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ №14-07-00828 А.