Аннотация:Гибридные наночастицы нчSi/SiOx, обладающие яркой широкополосной фотолюминесценцией (ФЛ) синтезированы методом термического диспропорционирования монооксида кремния, и на их основе получены золи и полимерные композиты в виде микродисперсных частиц ПТФЭ и пленок ПБМА. Определены особенности поведения неоднородно уширенной полосы ФЛ и ее интенсивности у нчSi/SiOx в золях и композитах при лазерном возбуждении. Они вызваны достаточно широким распределением ядер наночастиц по размерам, квантоворазмерными сдвигами в поглощении ( монокристаллическим ядром кремния) и ФЛ (дефектов нчКДЦ в аморфной SiOx оболочке), а также эффектами насыщения ФЛ. Непрерывное лазерное воздействие (с длиной волны 405 нм) на золи и композиты нчSi/SiOx вызывает деградацию интенсивности (фотовыжигание) ФЛ. Кинетика выжигания ФЛ является индивидуальной для каждого типа образца, но всегда имеет существенно неэкспоненциальный характер, а скорость выжигания через ~103 с падает на два порядка. Обнаружен эффект пострадиационного темнового восстановления ФЛ после окончания процесса лазерного фотовыжигания. Кинетика восстановления является существенно неэкспоненциальной, но индивидуальной для каждого типа образца. Полное восстановление интенсивности ФЛ и формы исходной полосы для всех образцов происходит не менее, чем за 15 часов. Полнота восстановления свидетельствует об обратимости процессов фотовыжигания ФЛ во всех изученных системах на основе нчSi/SiOx. Рассмотрена модель, в рамках которой фотовыжигание ФЛ вызвано переносом электрона от фотовозбужденного нчКДЦ и захватом его подходящей ловушкой, а темновое восстановление ФЛ вызвано процессами туннельной рекомбинации электрона и ионизованного нчКДЦ+. Обсуждается возможность управления фоточувствительностью нчSi/SiOx за счет создания вокруг нее подходящей дополнительной оболочки стимулирующей или, наоборот, подавляющей фотоиндуцированное разделение зарядов.