Influence of quantum well states on transport properties of double barrier junctionsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
Аннотация:A strong asymmetric behavior in the I-V characteristics and the tunnel magnetoresistance in asymmetric magnetic double-barrier junctions is predicted. This effect relates to formation of quantum well states in the middle metallic layer. The influence of the random fluctuations of the barrier and the middle metallic layer thickness on the statistics of resonant levels is investigated. (C) 2002 Elsevier Science B,V. All rights reserved.