Properties of a high-T-c dc SQUID radiofrequency amplifierстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
Местоположение издательства:Piscataway, NJ, United States
Первая страница:1039
Последняя страница:1041
Аннотация:We present an experimental investigation of a radiofrequency amplifier based on a bicrystal high-T-c dc SQUID designed for the frequency range 500-3000 MHz. The SQUID input coil comprises only one layer of a normal metal forming open-ended microstrip line. Both dc and microwave properties were investigated and analyzed. Maximum power gain was found to be 16 dB at 520 MHz for a SQUID with 8 turn input coil.