|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
"О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок a-Si:H"статья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 февраля 2014 г.
- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Журнал: Материалы Электронной техники
- Номер: 3
- Год издания: 2010
- Первая страница: 45
- Последняя страница: 48
- DOI: 10.1134/S1063739711080129
- Аннотация: Установлено, что слоистые пленки a-Si:H,выращенные методом циклического осаждения с послойным отжигом в водородной плазме, имеют высокую фоточувствительность, которая превышает в области комнатных температур более чем на порядок фоточувствительность стандартных нелегированных пленок a-Si:H, выращенных осаждением в плазме ВЧ тлеющего разряда. Большая фоточувствительность определяется малой темновой проводимостью и высокой фотопроводимостью слоистых пленок в области комнатных температур. Показано, что это может быть обусловлено наличием "очувствляющих" уровней, связанных с повышенной концентрацией кислорода на границе слоев и малой концентрацией оборванных связей кремния в глубине слоев с более упорядоченной структурой.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна