|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
"Особенности релаксации фотоиндуцированных метастабильных дефектов в слабо легированных бором пленках a-Si:H при наличии подсветки"статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
- Номер: 4
- Год издания: 2008
- Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 28
- Последняя страница: 31
- Аннотация: Установлено, что скорости релаксации предварительно образованного сильным освещением ансамбля метастабильных дефектов в пленках a-Si:H в темноте и при наличии слабой подсветки различны и зависят от интенсивности подсветки. Подсветка изменяет также распределение метастабильных дефектов в ансамбле по времени релаксации. Показано, что это обусловлено наличием при подсветке трех процессов: термической релаксации, фотоиндуцированной релаксации и фотоиндуцированного образования метастабильных дефектов.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна