Место издания:Издательство Политехнического университета г. Санкт-Петербург
Первая страница:20
Последняя страница:21
Аннотация:Проведены измерения температурные зависимости фотопроводимости (ФП) и темновой проводимости (ТП) предварительно отожженных и освещенных пленок a-Si:H в интервале температур 140К-470К. Получено, что при освещении пленки образуются быстрые и медленные фотоиндуцированные дефекты, которые по-разному влияют на ФП и ТП. Быстрые дефекты имеют меньшую энергию образования и отжига, чем медленные. Их энергетические уровни расположены в нижней половине запрещенной зоны и являются основными рекомбинационными уровнями. Быстрые дефекты - оборванные связи кремния. Медленные фотоиндуцированные метастабильные дефекты имеют большую энергию образования и отжига. Их уровни расположены в верхней половине запрещенной зоны и являются не рекомбинационными уровнями, а уровнями прилипания. Эти представления согласуются с полученными экспериментальными данными.