|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Особенности фотопроводимости нелегированных слоистых пленок аморфного гидрированного кремния Итезисы доклада
- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников
- Тезисы
- Год издания: 2009
- Место издания: Новосибирск
- Первая страница: 240
- Последняя страница: 240
- Аннотация: Исследованы температурные зависимости фото- и темновой проводимости, а также люкс-амперные характеристики (ЛАХ) нелегированных слоистых пленок a-Si:H в интервале температур 130-460К. Пленки выращены методом циклического осаждения с отжигом каждого слоя в плазме водорода и состояли из чередующихся слоев толщиной 2 нм и 14 нм с большим и малым содержанием водорода. Установлено, что пленки имеют высокую фоточувствительельность. Вблизи комнатных температур наблюдалось ослабление роста фотопроводимости с температурой и небольшая суперлинейность ЛАХ. Предположено, что это определяется механизмом увеличения темпа рекомбинации электронов с ростом температуры. Показано, что уровни с меньшим коэффициентом захвата электронов расположены на 0.55-0.65 эВ выше потолка валентной зоны, что выше эффективного уровня рекомбинации для состояний хвоста валентной зоны. Такие уровни имеются при большом содержании кислорода в a-Si:H. Исследованные пленки содержат большую концентрацию кислорода в тонких слоях. Толстые слои имеют малую концентрацию оборванных связей кремния, что связано со структурной релаксацией аморфной матрицы кремния в процессе отжига в плазме водорода. В работе показано, что высокая фоточувствительность слоистых пленок a-Si:H может быть обусловлена малым содержанием в пленке дефектов-оборванных связей кремния, большой концентрацией в глубине запрещенной зоны электронных состояний с меньшим, чем для оборванных связей, коэффициентом захвата электронов и неоднородным их распределением в пленке.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна