|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Влияние освещения на фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:Hтезисы доклада
- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Труды VII Международной конференции “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
- Тезисы
- Год издания: 2010
- Место издания: ФТИ Санкт-Петербург
- Первая страница: 255
- Последняя страница: 256
- Аннотация: Слоистые пленки a-Si:H выращены методом циклического осаждения с послойным отжигом в водородной плазме. В работе исследовалось влияние освещения на электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H. Были измерены температурные зависимости темновой проводимости (ТП)и фотопроводимости (ФП), а также люкс-амперные характеристики пленок до и после освещения при разных температурах. Установлено, что кинетика релаксации ТП слоистой пленки после выключения предварительного освещения описывается суммой двух растянутых экспонент с существенно отличающимися эффективными временами релаксации. Быстрый процесс релаксации соответствует увеличению ТП, а медленный процесс-ее уменьшению до равновесного значения. Изменения ТП и ФП пленок a-Si:H при освещении связаны с изменениями плотности электронных состояний в запрещенной зоне и определяются двумя процессами: быстрым и медленным. Они могут быть обусловлены образованием ансамблей метастабильных дефектов разной природы, что возможно связано с различной микроструктурой их ближайшего окружения. Наличие двух различных процессов изменения плотности состояний в запрещенной зоне при освещении пленок и после его выключения объясняет различные температурные зависимости ФП и ТП пленок, освещенных при разных температурах. Во время освещения при низких температурах преобладает быстрый процесс изменения плотности состояний, а при высоких - медленный процесс. Поэтому ФП пленки, освещенной при высокой температуре, начинает восстанавливаться при более высоких температурах, чем ФП пленки, освещенной при низкой температуре. Предположено, что обнаруженное увеличение ТП и ФП слоистых пленок под влиянием освещения (медленный процесс) определяется не образованием новых метастабильных дефектов, а уменьшением концентрации имеющихся в отожженной пленке дефектов акцепторного типа, связанных с кислородом, энергетические уровни которых расположены в нижней половине запрещенной зоны.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна