Аннотация:Исследованы спектры фотолюминесценции Ga1-xInxSb в зависимости от состава, легирования (Zn, Te) и температуры (65--320 K). В материале p-типа наблюдались линия краевого излучения и линии рекомбинации электронов на двух акцепторах. Энергия ионизации более мелкого акцептора изменялась в пределах 22--30 мэВ при 0 <= x <= 0.12. Энергия ионизации более глубокого акцептора составляла 65 мэВ и почти не зависела от x. В материале n-типа излучательная рекомбинация идет через глубокий акцептор 65 мэВ. Получено вынужденное излучение при 77 K для x~0.8 в спектральной области 4.4 мкм.