Аннотация:В настоящей работе обнаружено, что в легированных бором пленках a-Si:H в результате высокотемпературного отжига в потоке водорода увеличивается проводимость пленок в результате смещения уровня Ферми к валентной зоне и возникает прыжковая проводимость по состояниям хвоста валентной зоны. Эти изменения электрических свойств легированных пленок обусловлены увеличением концентрации электрически активных атомов бора в отожженных пленках, т.е. увеличением эффективности легирования пленок в условиях подавления в них образования оборванных связей кремния при отжиге в потоке водорода.