Аннотация:Исследованы спектры примесной фотопроводимости германия p-типа с частично компенсированными уровнями Ga (0.01 эВ), Hg (0.087 эВ), Au (0.15 эВ) и Ni (0.2 эВ) при температурах 6-10К. На спектрах Ge с Ga наблюдаются осцилляции - система равноотстоящих на энергию 0.037 эВ минимумов. Относительная глубина минимумов (К, %) зависит от времени жизни t0 дырок в образцах, уменьшаясь по мере его увеличения. Зависимости К от напряженности поля и от температуры качественно согласуются с соответствующими зависимостями t0. На спектрах фотопроводимости Ge с Hg глубина минимумов значительно меньше, чем в Ge с Ga при тех же концентрациях рекомбинационных центров. В спектрах Ge с Au и Ni осцилляций нет. Полученные результаты совместно с данными предыдущей работы свидетельствуют о том, что при одинаковых временах жизни глубина осцилляций уменьшается с ростом энергии ионизации примесных центров. Высказаны предположения о возможных причинах эффекта.