|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Особенности эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных боромстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
- Номер: 4
- Год издания: 2001
- Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 59
- Последняя страница: 62
- Аннотация: Обнаружено малое изменение темновой проводимости высокоомных слабо легированных бором пленок a-Si:H после освещения их белым светом. Показано также, что при этом наблюдается немонотонная аномальная кинетика изменения темновой проводимости пленок во время и после освещения. Показано, что в рамках модели образования фотоиндуцированных метастабильных состояний двух типов (метастабильных оборванных связей кремния и метастабильных электрически активных атомов бора) установленные особенности эффека Стеблера-Вронского обусловлены биполярностью темновой проводимости исследованных высокоомных пленок.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна