О кинетике образования оборванных связей в пленках a-Si:Hстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:В слабо легированных и нелегированных пленках a-Si:H были исследованы темновая проводимость, ее энергия активации и фотопроводимость в зависимости от времени предварительного освещения белым светом. Исследования проводились при температурах 170-350К. Полученные зависимости фотопроводимости от времени объясняются в рамках модели образования оборванных связей кремния под влиянием освещения.