О природе температурного гашения фотопроводимости в a-Si:Hстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
Аннотация:Приведены экспериментальные данные по зависимости фотопроводимости пленок a-Si:H от температуры, напряженности электрического поля и температуры предварительного освещения. Данные интерпретируются с помощью модели, основанной на представлении о существовании случайного потенциального рельефа.