О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:Hстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Исследована кинетика фотоиндуцированных изменений фотопроводимости нелегированных отожженных и предварительно освещенных пленок a-Si:H в широком интервале температур. Обсуждаются механизмыобразования метастабильных оборванных связей. Полученные результаты свидетельствуют о наличии как мономолекулярного активационного процесса (для отожженных пленок), который можно связать с захватом электронов или дырок на состояния слабых связей Si-Si в хвостах соответствующих зон, так и бимолекулярного безактивационного процесса (для предварительно освещенных пленок), связанного с захватом электрона и дырки на состояния одной и той же слабой связи Si-Si.