Влияние предварительного освещения на процесс фотоиндуцированного образования оборванных связей в a-Si:Hстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
Аннотация:Обнаружено различие закономерностей кинетики изменения фотопроводимости в процессе освещения для предварительно отожженных и освещенных при повышенных температурах нелегированных пленок a-Si:H. Предложены разные механизмы фотоиндуцированного образования оборванных связей в пленках после различной их предварительной обработки.