|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Simulation of characteristics of a molecular single-electron tunneling transistor with a discrete energy spectrum of the central electrodeстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Shorokhov V.V., Johansson P., Soldatov E.S.
- Журнал: Journal of Applied Physics
- Том: 91
- Номер: 5
- Год издания: 2002
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 3049
- Последняя страница: 3053
- Добавил в систему: Шорохов Владислав Владимирович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | JAP-JApplPhys_91_3049.pdf | 364,8 КБ | 23 февраля 2013 [nanothinker] |