Аннотация:Экспериментально показано, что основной вклад в низкочастотный шум (типа 1/f) металлических одноэлектронных транзисторов связан с флуктациями зарядов, локализованных в диэлектрической подложке (SiO2, Al2O3, и др.). Применение специального стэкового дизайна, как правило, приводит к заметному уменьшению уровня этого шума. Описана технология изготовления и рекордные шумовые характеристики алюминиевых транзисторов, разработанных в лаборатории криоэлектроники МГУ.