Crystallographic data of new ternary Sm5Ge4-type Gd2Sc3Ge4 and R2Sc3Si4  compounds (R=Sm,Gd-Tm)

Morozkin, A.V.; Seropegin, Y.D.; Portnoy, V.K.; Leonov, A.V.; Sviridov, I.A.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Авторы: Morozkin A.V., Seropegin Yu D., Portnoy V.K., Leonov A.V., Sviridov I.A.
Журнал: Journal of Alloys and Compounds
Том: 281
Год издания: 1998
Издательство: Elsevier BV
Местоположение издательства: Netherlands
Первая страница: L1
Последняя страница: L2
Аннотация: Investigations made by powder X-ray diffraction on eight new ternary Gd2Sc3Ge4 and R2Sc3Si4 compounds (R = Gd - Tm) are reported. The following compounds were observed to crystallize in the orthorhombic Sm5Ge4 -type structure (space group Pnma): Gd2Sc3Ge4 (a = 0.7211(2) nm, b = 1.4050(6) nm, c = 0.7453(3) nm), Sm2Sc3Si4 (a = 0.7094(1) nm, b = 1.3992(4) nm, c = 0.7402(2) nm), Gd2Sc3Si4 (a = 0.7092(2) nm, b = 1.4012(4) nm, c = 0.7412(2) nm), Tb2Sc3Si4 (a = 0.7078(1) nm, b = 1.3982(3) nm, c = 0.7395(2) nm), Dy2Sc3Si4 (a = 0.7060(1) nm, b = 1.3951(4) nm, c = 0.7380(2) nm), Ho2Sc3Si4 (a = 0.7042(1) nm, b = 1.3921(4) nm, c = 0.7362(2) nm), Er2Sc3Si4 (a = 0.7028(1) nm, b = 1.3894(4) nm, c = 0.7343(2) nm) and Tm2Sc3Si4 (a = 0.7011(2) nm, b = 1.3852(5) nm, c = 0.7324(2) nm).
Добавил в систему: Морозкин Александр Владимирович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Crystallographic data of new ternary Sm5Ge4-type Gd2Sc3Ge4 and R2Sc3Si4 compounds (R=Sm,Gd-Tm)статья

Прикрепленные файлы