|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Protected 0-pi states in SIsFS junctions for Josephson memory and logicстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 октября 2018 г.
- Авторы: Bakurskiy S.V., Klenov N.V., Soloviev I.I., Pugach N.G., Kupriyanov M.Yu, Golubov A.A.
- Журнал: Applied Physics Letters
- Том: 113
- Номер: 8
- Год издания: 2018
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 082602-1
- Последняя страница: 082602-5
- DOI: 10.1063/1.5045490
- Аннотация: We study the peculiarities in current-phase relations (CPR) of the SIsFS junction in the region of 0to pi transition. These CPR consist of two independent branches corresponding to 0- and p-states of the contact. We have found that depending on the transparency of the SIs tunnel barrier, the decrease in the s-layer thickness leads to transformation of the CPR shape going in the two possible ways: either one of the branches exists only in discrete intervals of the phase difference u or both branches are sinusoidal but differ in the magnitude of their critical currents. We demonstrate that the difference can be as large as 10% under maintaining superconductivity in the s-layer. An applicability of these phenomena for memory and logic application is discussed.
- Добавил в систему: Кленов Николай Викторович