Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжигастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 сентября 2013 г.
Аннотация:Исследовались электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H, полученных методом циклического плазмохимического осаждения, и влияние на эти свойства термического отжига. Показано, что фоточувствительность неотожженных пленок велика. С увеличением температуры отжига происходит уменьшение фоточувствительности за счет значительного уменьшения фотопроводимости и увеличения темновой проводимости. Проводимость пленок, отожженных при температуре выше 500С, определяется суммой зонной проводимости и прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми.