|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Особенности эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных боромтезисы доклада
- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.
- Сборник: Тез. докладов Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (“Кремний-2000”), Москва, МИСиС, с.255, 2000г.,
- Тезисы
- Год издания: 2000
- Место издания: Москва, МИСиС
- Первая страница: 355
- Последняя страница: 356
- Аннотация: Исследовались высокоомные, слабо легированные бором слои a-Si:H, которые используются в качестве i-слоев в p-i-n-структурах. Получено, что кинетика изменения темновой проводимости этих пленок во время и после их освещения немонотонна.Это связывается с образованием двух типов фотоиндуцированных состояний - быстрых и медленных. Наблюдалась "аномальная" кинетика темновой проводимости проводимости во время и после освещения i-слоев. Предполагается, что "аномальные" изменения проводимости определяются ее биполярностью, обусловленной расположением уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна