Место издания:Издательство ”Наукова думка” г. Киев
Первая страница:5
Аннотация:Обнаружено ИК излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивости. Определены размеры области излучения, длительность излучения и длина волны максимума излучения. Найдена возможность управления местом и временем излучения при использовании образцов сложной формы, основанная на использовании эффекта отражения звукового потока от области неоднородности электрического поля. Обсуждаются возможные механизмы возникновенив ИК излучения из акустоэлектрического домена.