Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Single-Atom Single-Electron Transistors Based On Individual As, P, Au And K Dopants In Silicon
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 апреля 2019 г.
Авторы:
Shorokhov V.V.
,
Presnov D.E.
,
Dagesyan S.A.
,
Trifonov A.S.
,
Snigirev O.V.
,
Krupenin V.A.
Сборник:
Abstracts for the VI International Scientific Conference State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects (STRANN ’18)
Тезисы
Год издания:
2018
Место издания:
Moscow
Первая страница:
49
Последняя страница:
50
Добавил в систему:
Преснов Денис Евгеньевич