|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Chemical pressure in the correlated narrow-gap semiconductor FeGa3статья
- Авторы: Verchenko Valeriy Yu, Zubtsovskii Alexander O., Tsirlin Alexander A., Shevelkov Andrei V.
- Журнал: Journal of Materials Science
- Год издания: 2018
- Издательство: Springer Nature
- Местоположение издательства: Switzerland
- DOI: 10.1007/s10853-018-3012-y
- Добавил в систему: Верченко Валерий Юрьевич